新製品のSamsung SSD 860 EVOシリーズ
mSATAのSSD 実測ベンチってみました
速度は前シリーズと大差無いが
TBWが前シリーズの2倍になっている!
なかなか、高パフォーマンスな #SSDですね
TLCの技術革新で
各メーカー新製品が出るたびNANDフラッシュメモリの独自呼称が
細分化されていく..
MZ-M6E500B
mSATA 500GB
Controller Samsung MJX Controller
NAND Flash Memory Samsung V-NAND 3bit MLC
┗(TLCタイプ64層3D NAND)
┗Intelligent TurboWrite疑似SLCキャッシュ領域
DRAM Cache Memory 512MB LPDDR4
┗1TBモデルは1GB LPDDR4
300 TBW(総書き込みバイト数)
公称値(Up to)
Sequential Read 550 MB/s
Sequential Write 520 MB/s
┗インテリジェントターボライトテクノロジー有効時
4KB Ran. Read (QD1) 10,000 IOPS
4KB Ran. Write (QD1) 42,000 IOPS
4KB Ran. Read (QD32) 97,000 IOPS
4KB Ran. Write (QD32) 88,000 IOPS
実測ベンチマーク[1GB] 4回中4回目
CrystalDiskMark 5.2.1(🙇Ver.古かった)
Sequential Read (Q= 32,T= 1) : 561.384 MB/s
Sequential Write (Q= 32,T= 1) : 530.678 MB/s
Random Read 4KiB (Q= 32,T= 1) : 362.585 MB/s [ 88521.7 IOPS]
Random Write 4KiB (Q= 32,T= 1) : 340.567 MB/s [ 83146.2 IOPS]
Sequential Read (T= 1) : 524.090 MB/s
Sequential Write (T= 1) : 488.392 MB/s
Random Read 4KiB (Q= 1,T= 1) : 41.805 MB/s [ 10206.3 IOPS]
Random Write 4KiB (Q= 1,T= 1) : 119.395 MB/s [ 29149.2 IOPS]
『2018-2月発売のNewモデル
Samsung SSD 860 EVOシリーズ
純正に較べランダムの伸びがヨシ!
TLC(V-NAND3bitMLC)ながら300TBW』
#SSD容量不足 →OS環境もデータも今のまま‼️
大容量化のご相談は是非、当店で❗️
※LZ750は少し癖があります
